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硅 APD硅 APD
APD 能否按擊穿電壓分級？S12023-02/-05/-10/-10A、S12051、S12086 和 S3884 近紅外 APD（低偏壓操作）可作為標準產品提供，分為 80 至 120 V、120 至 160 V 和 160 至 200 V 三個等級。 APD 能否按擊穿電壓分級？只需大約幾百微安的輸出電流即可導致線性度劣化。 APD 倍增系數（增益率）的定義是什么？APD 增益率是光電流乘以施加高偏壓與無倍增時所產生的光電流之比。 為什么近紅外硅 APD 的低偏壓型和低溫度系數型具有不同的工作溫度下限？低偏壓操作型和低溫度系數型使用的封裝相同。但由于低偏壓操作型具有較大的溫度系數，因此其結電容在低溫下變大，導致響應速度下降，因此工作溫度的下限被指定為 -20°C。 APD 和光電倍增管有什么區別？APD 屬于半導體器件，與光電倍增管相比，具有更高的量子效率。APD 還可以提供較小的生產尺寸，不受磁場影響，具有寬動態范圍。當然 APD 也有缺點，例如噪聲大、倍增系數低，因此光電倍增管在檢測極低光量時具有優勢。 如何在溫度變化時保持恒定的增益率？常用的方法是監測 PN 連接處的正向電壓或使用熱敏電阻來檢測溫度波動。然后將反饋應用于 APD 偏壓以保持增益率恒定。另一種方法是以恒定電流驅動 APD，并使偏壓根據溫度波動自動調節。 硅 APD 和 PIN 光電二極管有什么區別？PIN 光電二極管的探測限由負載電阻熱噪聲和放大噪聲決定。APD 具有內部增益效應，可將信號倍增至高于熱噪聲的水平，從而實現高速和低噪聲的光探測。 是否提供具有較大受光面的 APD？要制造大受光面的硅 APD，需要相應的工藝技術以使整個受光面的增益率均勻。目前可提供高達 10 × 10 mm 的受光面 (S8664-1010)。 可提供哪些類型的 APD 陣列設備？我們支持需要特殊受光面尺寸、輪廓、增益率變化和元件間隙等要求的 APD 陣列產品定制訂單。S8550-02（4 × 8 個元件）作為標準產品提供。 APD 能檢測到多少光量的微光？在 S2381 近紅外 APD（低偏壓操作）上，典型的 NEP（噪聲等效功率）約為 5×10-16 W/Hz1/2。 |
